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MOSFET IRF630 (Vishay)

IRF630 (Vishay)

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF630（查看） TO-220
IRF630S（查看） TO-263

引脚布局

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技术资料—— IRF630 (Vishay) PDF技术资料

IRF630 概述


　　IRF630属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF630为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
　　TO-220封装的IRF630普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF630得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF630适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF630的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。
IRF630 参数
IRF630 基本参数
VDS   200 V
ID @25℃   9.0 A
RDS(on)   0.40 mΩ
IRF630 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg (Max.)(nC)   43 nC
IRF630 封装与引脚
TO-220, TO-263

IRF630 特性

  • 动态dv/dt率
  • 可恢复性雪崩测定
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 并行简易
  • 仅需简单驱动
  • 贴片安装 - IRF630S
  • 可选卷带包装 - IRF630S
  • 无铅环保